待完成芯片的封装以后，需要对产品进行可靠性方面的测试，以保证在长期使用中的可靠性。可靠性实验在封装中由Precon和Long term Test两部分组成。
1、可靠性测试项目简介
1.1 Precon介绍
又称MRT,是用来模拟芯片从运输到上板的整个流程(图5-1)。
TC的条件是-55℃~125℃,5个周期;用来模拟芯片运输过程中高低温的变化，尤其是针对空运。
(2) Dry Bake
Dry Bake的条件是125℃下储存24小时，用来模拟为芯片打包过程中的高温状况。
(3) Temp&Humidity Test
T&H的条件分为6级，用来模拟芯片在生产过程中环境温度和湿度，通常我们使用Level3 (表5-1)。
IR Reflow的条件是在在240度的烘箱内过三遍，用来模拟芯片在做SMD时的状况(图5-2)。
O/S Test 是用来测试芯片内部短路开路情况，因为用来做MRT的芯片都是通过初期电性能测试的，所以O/S测试用来验证MRT的条件会不会有因为封装造成的失效。
(6)SAM
SAM也叫SAT,是用超声波来做断层扫描的一种检测方法，利用超声波在不同表面会造成反射的原理(图5-3)，可以检测到材料中的不同材料之间断层等等，在BGA封装中可以检测银浆空洞(EpoxyVoid),环氧树脂空洞(MoldVoid)，树脂与芯片之间的断层( Delamination)等等。
1)A SCAN:由于材料之间会发生反射，将示波器的到反射的波形来和正常波形进行对比，来判断在什么位置发生问题(图5-4)。
3)T SCAN:与A SCAN相反，T SCAN利用另一个探头接受穿透后的超声波，转化成电信号来分析(图5-5)。
进行CSCAN时，需要首先将超声波的能量焦点置于需要检查的位置，即固定的水平面，启动描后探头对整个元器件进行逐行扫描，原理仍然是不同物体间的反射，整个过程结束后，计算机自动合成结果，但是需要人工判断缺陷(图5-6)。
C SCAN是精确的空洞，断层等缺陷的分析方法。
耐久性实验既是芯片的老化试验,浴盆曲线代表了半导体器件的失效分布和时间的关系，48小时内的前期失效是属于潜在的质量问题，在48小时到106小时内是失效率相对较低的，106 小时后属于老化失效(图5-7)。所以，根据芯片的不同用途，耐久性实验也分为不同的级别，如下图:
对于不同的芯片封装结构，用途等考量，试验者会选取具有针对性的可靠性测试的项目，我们此次只是金线更换铜线的线材更换试验，所以根据查阅公司规范文件，需要做的可靠性测试是MRT,TC和HTS，可选项HAST,如下表5-1:
(1)高低温冲击测试(Temp Cycle Test)
半导体器件工作和不工作的温度相差比较大，TC测试用来测试芯片本身由于热胀冷缩导致的材料间分层，根本原因是由于不同材料的热膨胀系数不同。
TC的测试条件是:
1)温度: -65℃~150℃
2)时间: 15Min/区间
3) 1000 Cycle
1) Open 的失效来源于EMC与芯片表面分层导致的焊球脱离或焊线断裂(图5-9)。
2) Short 的失效来源于Chip Crack (图5-10)。
半导体器件持续运行的问题很高，高温会加速一些材料间的分子级别的扩散,主要集中在焊球和焊盘之间，由于扩散速度不同的加速，导致产生Kirkendall空洞，严重者会造成焊点分离(图5-11)。
1)温度:150℃
2)时间: 1000hrs
HTS以后主要的失效模式是Open失效。
(3)高压潮气测试(Highly Accelerated Stress Test)
芯片在使用过程中会遇到不同的外部环境，HAST测试既是模拟了芯片(通常是商用和民用)会遇到的高压高湿度的环境。
潮气在高温的作用下会渗透进封装内部，和芯片内的金属发生氧化反应，造成一定的破坏。
HAST的测试条件是:
1)温度: 130℃
2)湿度:85%
3)时间: 168hrs
HAST的主要失效模式是Open/Short。
1) Open 主要是潮气对焊盘的腐蚀，造成了虚焊(图5-12)。
2) Short 主要是由于潮气的渗入，造成了EMC内部有漏电(图5-13)。
芯片封装的可靠性测试流程通常是Precon+Long Term Test， 通过Precon测试的芯片将继续进行耐久性的测试。
芯片测试数量的选取按照客户对于芯片可靠性等级的要求来确定，通常是SQB评估(QualLevel B)，所以必须设置3个实验组，每个实验组的数量是22+3x77=253 (表5-2)。
MRT的条件如下表5-3:
Long Term的条件如下表5-4:
